Đây là loại vật liệu quan trọng tác động tới độ bền và tuổi thọ của pin perovskite. Khác với pin mặt trời sillic truyền thống, các lớp chuyển tiếp lỗ trống của pin perovskite sử dụng vật liệu dạng rắn, không phải điện phân lỏng, có khả năng hấp thụ và khuếch tán năng lượng tốt. Để chế tạo vật liệu phthalocyanine-tetrabenzoporphyrin, TS Đào Quang Duy và cộng sự áp dụng công nghệ quay phủ có ưu điểm giá thành hợp lý nhưng vẫn đảm bảo pin tăng sức bền dẻo và độ ổn định.
Nghiên cứu cho thấy, vật liệu này có độ linh động hạt tải mang điện cao và dễ hòa tan trong các dung môi hữu cơ, có khả năng bảo vệ lớp vật liệu perovskite. Cấu trúc tinh thể của pin giúp quá trình chuyển đổi các photon ánh sáng từ nguồn mặt trời thành điện năng sử dụng, được diễn ra hiệu quả. Đặc biệt, kể cả khi chưa được tối ưu hóa, pin sử dụng vật liệu hữu cơ nguyên tử nhỏ làm lớp chuyển tiếp lỗ trống có hiệu suất chuyển đổi năng lượng ở mức cao, đạt 15%.
Ngoài ra, việc sử dụng vật liệu phthalocyanine-tetrabenzoporphyrin không cần pha tạp, có thể làm tăng độ bền của pin gấp hai lần, bảo vệ lớp perovskite bên ngoài. Mặc dù hiệu suất này tương đương với pin silic truyền thống, nhưng việc chế tạo vật liệu mới được nhóm chú ý đến giá thành chế tạo hợp lý, dễ dàng áp dụng công nghệ và ít ảnh hưởng tới môi trường vì không cần sử dụng thêm các hợp chất pha tạp.
